Si3N4结构陶瓷做为一种出色的高温施工材料，能发挥特长的是其在高温行业中的运用。Si3N4将来的发展前景是：⑴充分运用和运用Si3N4自身所具备的出色特点；⑵在Si3N4粉末状烧结时，开发设计一些新的助熔剂，科学研究和操纵目前助熔剂的成份；⑶改进制粉、成形和烧结加工工艺；⑷研发Si3N4与SiC等原材料的复合化，便于制得大量的高分子材料。S它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的样子，在N2以及1200℃的高温下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的抗压强度。S它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，这时整个坯体已经具有一定的强度。随后在1350℃～1450℃的高温炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合烧结法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
氮化硅的制法有以下几种： 在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应； 在1500℃时将纯硅与氨作用；
在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅陶瓷具有高强度、耐高温的特点，在陶瓷材料中其综合力学，耐热震性能、性能、耐磨损性能、耐蚀性能好，是热机部件用陶瓷的候选材料。在机械工业，氮化硅陶瓷用作轴承滚珠、滚柱、滚球座圈、工模具、新型具、泵柱塞、心轴 密封材料等。
氮化硅的很多特点都归纳为在这里结构。纯Si3N4为3119，有α和β二种分子式，均为六角晶体结构，其融解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4热膨胀系数低、导热率高。2、氮化硅结合碳化硅制品的常温强度高，在1200-1400℃高温下，几乎保持与常温相同时间的强度和硬度。压合锻烧的氮化硅升温到l000℃后资金分配冷水中也不易。没有太高的温度下，Si3N4具有较高的抗压强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的提升而出現毁坏，使其抗压强度降低，Si3N4未来的发展前途是：⑴充分利用和应用Si3N4本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4粉状锻烧时，设计开发一些新的助熔剂，科研和控制现阶段助熔剂的成分；⑶改善制粉、成型和煅烧法；⑷产品研发Si3N4与SiC等原料的复合化，有利于制取很多的纤维材料。它耐高温，抗压强度一直可以维持到1200℃的高温而不减少，受热后不易熔成融体，一直到1900℃才会融解，并有让人的耐水洗浸蚀能，可耐大部分所有的氧化剂和30%以下的溶液，也可耐很多柠檬酸钠的腐蚀；此外也是一种电电缆护套原材料。